芯片冷熱沖擊試驗(yàn)箱

芯片冷熱沖擊試驗(yàn)箱用于電工電子電器機(jī)械等零組件、自動(dòng)化零部件、國防工業(yè)行業(yè)、航空航天研究所、兵工業(yè)、通訊產(chǎn)品或組件、汽車成品或配件、金屬材料、化學(xué)材料、五金塑膠、LED、LCD光電、光伏、照明、BGA、PCB基扳、電子芯片IC、半導(dǎo)體陶磁及高分子材料之物理牲變化,測試其材料對冷、熱溫的快速反復(fù)抵抗力及工業(yè)產(chǎn)品處于熱脹冷縮的環(huán)境時(shí)所出現(xiàn)的化學(xué)變化或者物理傷害，可確認(rèn)工業(yè)產(chǎn)品的質(zhì)量,從精密的IC到重機(jī)械的組件，可作為工業(yè)行業(yè)眾多產(chǎn)品改進(jìn)質(zhì)量的依據(jù)或參考。以便考核產(chǎn)品的適應(yīng)性或?qū)y試產(chǎn)品的行

為作出評(píng)價(jià)。是新產(chǎn)品研發(fā)、樣機(jī)實(shí)驗(yàn)、產(chǎn)品合格鑒定試驗(yàn)全過程的重要試驗(yàn)手段。

參照標(biāo)準(zhǔn)：

GB/T2423.1-2008 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn) 第2部分試驗(yàn)方法 試驗(yàn)A 低溫

GB/T 2423.2-2008 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn) 第2部分:試驗(yàn)方法 試驗(yàn)B:高溫

GB/T 10592-2008 高低溫試驗(yàn)箱技術(shù)條件

芯片冷熱沖擊試驗(yàn)箱技術(shù)參數(shù)：

溫度范圍可選：-40~150℃；-55~150℃；-65~150℃

高溫儲(chǔ)溫區(qū)：+60℃~+200℃

低溫儲(chǔ)溫區(qū)：-10℃~-75℃;

溫度循環(huán)沖擊恢復(fù)時(shí)間： 3~5min內(nèi)；溫度循環(huán)沖擊移動(dòng)時(shí)間： ≤10sec內(nèi)。

升溫時(shí)間(蓄熱區(qū)) ：RT~200℃約需35min；降溫時(shí)間(蓄冷區(qū)) ：RT~-70℃約需85min

內(nèi)箱尺寸可選擇：35×35×40、50×40×40、60×50×50、70×60×60

內(nèi)外箱材質(zhì)：外殼防銹處理冷軋鋼板(噴塑)或不銹鋼板（SUS304）；內(nèi)箱100%保證為不銹鋼板(SUS304) ，絕熱材料為聚氨酯泡沫和玻璃纖維

氣動(dòng)氣缸：高溫、環(huán)境溫度、低溫曝露時(shí)的各個(gè)風(fēng)門驅(qū)動(dòng)用

空氣壓縮機(jī)：提供驅(qū)動(dòng)氣動(dòng)風(fēng)門的壓縮空氣（選件）

安全裝置：超溫保護(hù)裝置、漏電保護(hù)裝置、短路保護(hù)裝置、電機(jī)過熱保護(hù)裝置、壓縮機(jī)超壓保護(hù)裝置、超載保護(hù)裝置、過電流保護(hù)裝置等。